表面结构

指固体最表面几个原子层内原子的排列状况,包括:表面单位网格的形状和大小,它相对于基底单位网格的取向,表面单位网格中原子的数目和位置,最外层原子与第二、三……层原子的距离以及表面各层原子的排列状况等。

将一块晶体沿某晶面切开,而不改变切开面附近原子的位置和电子的密度分开,所形成的表面称为“理想表面”,理想表面在自然界是不存在的。在表面附近,由于垂直于表面方向的晶体周期性中断,作用在表面原子内外两侧的力失去平衡,相应的电子密度分布也发生变化,通过表面原子和电子自洽相互作用,使得表面原子和电子分布趋向新的平衡,这个过程叫做表面弛豫。晶体表面附近3~5层原子,其弛豫程度各不相同,形成了晶体和真空的过渡层,它像织边一样镶在晶体的四周,决定着很多重要的表面物理、化学性质。由于织边的存在,及电子向真空区的逃逸,在表面区可以出现电偶极层。

对多数金属清洁表面,表面原子向新的平衡位置弛豫只引起表面法向原子间距膨胀或收缩,而不改变平行于表面的二维周期结构,即所谓的弛豫表面;但是对多数半导体和少数金属晶体清洁表面,弛豫后平行于表面的原子排列的周期结构也发生了变化,改变了周期结构的表面称为再构表面。再构也是弛豫的结果,如Si、Ge、GaAs、Pt、Au都存在再构表面。

晶体表面还经常出现台阶和各种缺陷,由于它对晶体生长和化学催化起着特殊作用,所以近年来很受人们重视,特别对Pt的台阶表面研究得最多。

实际的晶体表面经常吸附着外来的原子或分子(体内杂质也经常通过表面分凝而跑到表层),吸附在表面上的外来原子(或分子)一方面引起基底表面原子的排列发生变化,出现再构表面〔如Si(111)7×7结构吸附少量Au后变成5×5结构〕;另一方面吸附原子(或分子)本身的排列也常常呈不同于衬底的周期结构〔如 Ni(001)上的S,Co呈C(2×2)结构〕。同一晶体的不同晶面,不同温度和不同吸附量经常出现不同的表面结构

为方便起见,可用二维结晶学的方法来描述表面结构(见表面物理学)。应当指出,原子在表面的排列实际上是三维的。所以用二维结晶学的方法来描述只是个近似,或者说是它在表面上的投影。

研究表面结构常用的手段是低能电子衍射,它的理论和实验都发展得比较成熟。此外,也有采用反射高能电子衍射(RHEED)、扫描高能电子衍射(SHEED)和中能电子衍射(MEED)的。最近发展起来的研究手段有角分辨光电子谱、高分辨电子能量损失谱、低能离子散射谱、原子束(或分子束)背散射谱、扩展X 射线吸收精细结构谱、光电子衍射谱、扫描隧道显微镜以及场离子显微镜等,它们从不同方面提供了有关表面结构的重要信息。